近日，三星宣布，位于韓國(guó)華城的V1工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)。
目前三星在韓國(guó)和美國(guó)共有6條生產(chǎn)線(xiàn)，其中包括5條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)和1條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。三星最新的V1生產(chǎn)線(xiàn)于2018年2月破土動(dòng)工，并于2019下半年開(kāi)始測(cè)試生產(chǎn)晶圓，預(yù)計(jì)第一批產(chǎn)品將于2020年第一季度交付給客戶(hù)。
三星電子公司總裁兼鑄造業(yè)務(wù)主管ES Jung表示：除了先進(jìn)技術(shù)和設(shè)計(jì)之外，卓越的制造也是其核心業(yè)務(wù)，隨著產(chǎn)量的增加，V1工廠(chǎng)產(chǎn)出將增強(qiáng)三星應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的能力，并擴(kuò)大為客戶(hù)提供更優(yōu)的解決方案。
隨著半導(dǎo)體幾何尺寸越來(lái)越小，EUV光刻技術(shù)的采用變得越來(lái)越重要，目前三星的V1工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)正采用先進(jìn)的7nm和6nm工藝技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)芯片，并將繼續(xù)采用更精細(xì)的技術(shù)，甚至加速3nm工藝節(jié)點(diǎn)的發(fā)展。
此前消息稱(chēng)，三星6nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)出貨，基于全柵極(GAAFET)技術(shù)的3nm芯片也研發(fā)成功。三星3nm芯片采用的全柵極技術(shù)，該項(xiàng)技術(shù)相較于5nm芯片，明顯縮減超過(guò)1/3的面積，而且性能提升了30%，同時(shí)功耗降低了50%，有望在2021年投入大規(guī)模量產(chǎn)。
根據(jù)計(jì)劃，到2020年底，三星的V1工廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)3倍，將響應(yīng)快速增長(zhǎng)的全球市場(chǎng)需求，包括為5G、AI和汽車(chē)等下一代應(yīng)用提供了最佳選擇。
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