近日消息，全球最大半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML已著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV先進(jìn)光刻機(jī)，為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準(zhǔn)備。
Jos Benschop表示，ASML及獨(dú)家光學(xué)合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在單次曝光中印刷出分辨率精細(xì)到5nm的EUV光刻機(jī)，可滿足2035年之后的制程需求。
據(jù)悉，ASML目前出貨的最先進(jìn)光刻機(jī)，可達(dá)到單次曝光8nm分辨率。 而之前老舊光刻機(jī)必須多次曝光才能達(dá)到類似分辨率，不僅效率較低，而且良率也有限。
Benschop指出，ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計研究，目標(biāo)是實現(xiàn)數(shù)值孔徑（NA）0.7 或以上，目前尚未設(shè)定具體上市時間表。
數(shù)值孔徑（NA）是衡量光學(xué)系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標(biāo)，也是決定電路圖樣能否精細(xì)投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當(dāng)NA越大、光波長越短，印刷分辨率就越高。
目前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的NA為0.33，最新一代High NA EUV則提升至0.55。 當(dāng)下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）邁進(jìn)。
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