有消息稱，三星電子副會(huì)長兼DS（半導(dǎo)體）部門主管全永賢近期突訪美國英偉達(dá)總部，就HBM3E 12層高帶寬存儲(chǔ)器供應(yīng)及代工業(yè)務(wù)展開密集洽談，以爭取關(guān)鍵訂單。作為三星電子核心管理者，全永賢去年5月上任后直接掌舵半導(dǎo)體戰(zhàn)略，此次行動(dòng)凸顯公司對(duì)AI芯片市場的強(qiáng)勢布局。值得注意的是，三星已從去年起爭取英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證但遭駁回，目前正以改進(jìn)設(shè)計(jì)的新版本重新申請(qǐng)認(rèn)證，力圖突破供貨壁壘。
這一努力因近期進(jìn)展獲得新動(dòng)能，三星成功向AMD MI350X系列AI芯片供應(yīng)HBM3E 12層產(chǎn)品，有效緩解外界對(duì)品質(zhì)的質(zhì)疑，并提升了英偉達(dá)訂單的可行性。若三星最終獲得認(rèn)證，將與當(dāng)前HBM領(lǐng)域領(lǐng)頭羊SK海力士及美光展開正面競爭，重塑全球存儲(chǔ)市場格局。更引人注目的是，全永賢此行還深入探討了第六代HBM（HBM4）未來供貨方向，三星計(jì)劃憑借第六代1c工藝DRAM實(shí)現(xiàn)技術(shù)反超，應(yīng)對(duì)SK海力士與美光已交付第五代HBM4樣品的壓力。
此次高層會(huì)談?wù)?span id="ldzdpdr" class="wpcom_tag_link">三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)戰(zhàn)略調(diào)整期，去年11月公司任命全永賢為聯(lián)席CEO并直轄存儲(chǔ)器事業(yè)部，強(qiáng)化其在AI浪潮中的反擊態(tài)勢。
原創(chuàng)文章，作者：三星，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處：http://m.2079x.cn/article/726974.html
