據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進(jìn)行制造。
除了三星，ZDNET Korea還強(qiáng)調(diào)，韓國另一大存儲芯片巨頭SK海力士的下一代NAND閃存芯片的核心專利，也需要依賴中國，預(yù)計SK海力士也將與中國存儲芯片廠商簽署專利協(xié)議。
業(yè)內(nèi)人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司主要來自美國和中國，而三星、SK海力士等韓國半導(dǎo)體企業(yè)幾乎無法繞開中國半導(dǎo)體企業(yè)的專利布局。
與此同時，市場研究公司Gartner的最新數(shù)據(jù)顯示，三星電子正面臨DRAM和NAND閃存盈利能力下滑的困境，業(yè)績表現(xiàn)欠佳。多重因素疊加，使得三星不得不正視自身在專利方面的局限性，并與中國半導(dǎo)體企業(yè)達(dá)成合作，以提升其存儲板塊的競爭力。
隨著中國半導(dǎo)體企業(yè)的崛起，韓國多家半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)在專利布局上落入下風(fēng)。集微咨詢發(fā)布的《2024年中國大陸半導(dǎo)體制造企業(yè)專利實(shí)力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹宏力等企業(yè)名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲和長江存儲分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現(xiàn)出積極參與國際行業(yè)進(jìn)步的戰(zhàn)略眼光。
知識產(chǎn)權(quán)法律公司Mathys&squire的最新報告也顯示，2023-2024年中國專利申請數(shù)量猛增42%，從32840件增至46591件，同比增長42%，在所有地區(qū)中增長最為強(qiáng)勁，超過包括韓國在內(nèi)的其他地區(qū)。這表明中國半導(dǎo)體行業(yè)在中美技術(shù)競爭的背景下展現(xiàn)出強(qiáng)大韌性。
面對增長困境，韓國半導(dǎo)體行業(yè)也在反思。據(jù)韓聯(lián)社23日報道，韓國科技評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）發(fā)布的一份調(diào)查顯示，韓國在大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已被中國趕超。例如，在高集成度、低阻抗存儲技術(shù)方面，韓國得分為90.9%，低于中國的94.1%；在高性能、低功耗AI半導(dǎo)體領(lǐng)域，韓國得分為84.1%，落后于中國的88.3%。此外，在功率半導(dǎo)體和新一代高性能傳感技術(shù)方面，韓國也均落后于中國。
與此同時，韓國半導(dǎo)體行業(yè)的“最后防線”——HBM板塊也面臨來自中美的壓力。美光目前已向英偉達(dá)的AI芯片供應(yīng)8層HBM3E芯片，盡管其市場份額仍遠(yuǎn)低于12層HBM3E芯片的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士，但領(lǐng)先于三星電子的HBM產(chǎn)品和市場進(jìn)度。近日還有消息指出，美光即將開始量產(chǎn)其12層堆棧的HBM，并將其供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，美光在趕超了三星電子之后，如今還正努力在今年晚些時候幾乎與SK海力士同步量產(chǎn)16層HBM3E。
值得注意的是，3月6日美光突然宣布關(guān)鍵人事任命，其中臺積電前董事長劉德音加入董事會備受關(guān)注。業(yè)內(nèi)人士分析，劉德音豐厚的履歷能夠在芯片制造、海外建廠、AI技術(shù)與市場判斷等方面給予美光強(qiáng)援。近兩年面對激烈的市場競爭和復(fù)雜環(huán)境，美光頹勢不斷顯現(xiàn)，不僅在先進(jìn)制程上與臺積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風(fēng)險，劉德音在技術(shù)革新與風(fēng)控方面是業(yè)內(nèi)的頂尖專家，然而在美光如此內(nèi)外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時間的檢驗(yàn)。
國內(nèi)方面，專家指出，中國Deepseek的出現(xiàn)也將對韓國HBM產(chǎn)業(yè)構(gòu)成重大沖擊。Deepseek證明，AI模型可以在較低規(guī)格的HBM支持下實(shí)現(xiàn)高性能。如果越來越多的AI企業(yè)效仿Deepseek，采用低成本、低規(guī)格芯片來實(shí)現(xiàn)高性能AI模型，韓國高端HBM的市場需求將受到更嚴(yán)重的沖擊。中國企業(yè)盡管在HBM領(lǐng)域依然落后韓國企業(yè)，但正加速追趕，試圖在HBM等高附加值領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。此外，中國企業(yè)在AI芯片設(shè)計、封裝測試等領(lǐng)域的進(jìn)步，也為HBM的國產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。
韓國半導(dǎo)體企業(yè)在復(fù)雜的局勢下，正面臨著技術(shù)趕超和市場競爭力上的雙重壓力。而這對于中國半導(dǎo)體行業(yè)而言是一個重大的機(jī)遇，盡管美國政府在半導(dǎo)體領(lǐng)域施加了全方位的壓力，但憑借自身的技術(shù)積累和突破，中國企業(yè)或?qū)⒛懿蹲礁鄼C(jī)會。
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