隨著大選的臨近，拜登政府計劃在3月底前宣布發(fā)放《芯片法案》的第三筆補貼，總額高達530億美元。這一舉措旨在加快美國各地新工廠的建設(shè)，特別是針對先進制程半導(dǎo)體技術(shù)的投資。英特爾、臺積電等半導(dǎo)體巨頭有望獲得數(shù)十億美元的補貼，以推動其在美國的擴張計劃。
與前兩筆補貼不同，第三筆補貼將更加聚焦于先進制程技術(shù)，主要針對生產(chǎn)用于智能手機、人工智能等先進芯片的制造公司。這一策略旨在確保美國在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，并減少對國外供應(yīng)鏈的依賴。
盡管拜登政府在2022年簽署了《芯片法案》，但一年多來，政府尚未向大型芯片廠商提供其此前承諾的補貼或優(yōu)惠。然而，預(yù)計在3月7日前，拜登將宣布這一重要消息，以進一步刺激先進制成芯片的生產(chǎn)。
英特爾和臺積電是最有可能獲得補貼的廠商。英特爾計劃在美國俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州和俄亥俄州升級或新建工廠，總投資額超過435億美元。臺積電則計劃在亞利桑那州鳳凰城附近建設(shè)兩家芯片工廠，總投資額為400億美元。
然而，臺積電在美國的項目頻頻遭遇挫折。由于美國政府的激勵措施和稅收補貼政策存在不確定性，臺積電已經(jīng)推遲了在亞利桑那州工廠的建設(shè)進度。原本計劃在2026年投產(chǎn)的第二座工廠，現(xiàn)在預(yù)計要到2027年或2028年才能投產(chǎn)，比臺積電此前預(yù)計的時間晚了至少一年。此外，臺積電高管還指出，該工廠生產(chǎn)的具體芯片類型尚未確定。
去年7月，臺積電已經(jīng)宣布推遲其在美國第一個工廠的建設(shè)，將其投產(chǎn)時間從此前公布的2024年推遲到2025年。臺積電當(dāng)時聲稱，該工廠的建設(shè)面臨缺乏熟練的勞動力和成本走高等問題。據(jù)臺積電首席財務(wù)官黃仁昭表示，由于第一家工廠遭遇挫折，臺積電推遲了第二家工廠的建設(shè)。
面對挑戰(zhàn)，臺積電正重新評估在美國的投資計劃。一方面，高昂的成本和缺乏熟練勞動力是亟待解決的問題；另一方面，美國政府的激勵措施和稅收優(yōu)惠政策也存在不確定性。這些因素使得臺積電在美國的投資前景充滿了變數(shù)。
盡管如此，拜登政府的《芯片法案》仍然為美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了重要的資金支持。隨著政府加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投入，美國有望在全球半導(dǎo)體市場上取得更大的競爭優(yōu)勢。然而，如何克服高昂的成本和人力資源挑戰(zhàn)，以及如何與國際伙伴進行有效的合作，將是拜登政府需要深思的問題。
總之，拜登政府的《芯片法案》第三筆補貼將為美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。然而，政府和企業(yè)仍需面對諸多挑戰(zhàn)，以確保這一戰(zhàn)略的成功實施。通過加強國際合作、優(yōu)化政策環(huán)境和提高勞動力技能，美國有望在全球半導(dǎo)體市場上保持領(lǐng)先地位，并促進經(jīng)濟的可持續(xù)發(fā)展。
原創(chuàng)文章，作者：happy，如若轉(zhuǎn)載，請注明出處：http://m.2079x.cn/article/625453.html
