格芯獲得3000萬美元政府資金用于氮化鎵GaN芯片生產

近日,格芯宣布已獲得3000萬美元(約2 16億元人民幣)的政府聯邦資金,將用于在佛蒙特州Essex Junction工廠開發(fā)和生產高級半導體。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。

近日,格芯宣布已獲得3000萬美元(約2.16億元人民幣)的政府聯邦資金,將用于在佛蒙特州Essex Junction工廠開發(fā)和生產高級半導體。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。

這筆資金將用于開發(fā)和實施氮化鎵半導體,即通常所說的 GaN 芯片。據該公司稱,這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱,電動汽車普及、電網升級改造以及 5G、6G 智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。

GlobalFoundries 總裁兼首席執(zhí)行官 Thomas Caulfield 博士在一份聲明中說:“有了這筆新的聯邦資金,以及在 2023 年聯邦預算中可能獲得的進一步支持,GF 完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領導者?!?/p>

原創(chuàng)文章,作者:若安丶,如若轉載,請注明出處:http://m.2079x.cn/article/562599.html

若安丶的頭像若安丶管理團隊

相關推薦